8 (800) 550-12-98 kai@antelcom.ru

IPD35N10S3L26ATMA1 (заказ 3 дня)

65,16 ₽
В наличии: 1920шт.
Количество:
Кратность — 20 шт.
В корзину
  • Характеристики
Характеристики
Количество 1920
Мощность рассеиваемая (Pd) - 71 Вт
Тип MOSFET
Диапазон рабочих температур -55…+175 °С
Способ монтажа поверхностный (SMT)
Корпус TO-252 (DPAK)
Упаковка REEL, 2500 шт.
Описание N-Channel MOSFET 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Тип монтажа поверхностный (SMT)
Вес брутто 0.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во 39*37*39/1000
Емкость, пФ 2700
Тип проводимости N
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Максимальный ток стока (при Ta25C), А 35
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 24
Заряд затвора, нКл 39
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В 100
Максимальный ток стока Id (при Tc25C), А 35
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм 24

Наличие на складе в Москве широкого перечня комплектующих
Налаженные связи с поставщиками позволяют гарантировать точные сроки выполнения заказов
Доставка по всей России
Самовывоз со склада в Москве